“材料与能源前沿科学:强外场下的材料结构和物态调控”培训班

一、培训计划:

1. 时间与地点:

培训时间:20231025~1027

培训与住宿地点:四川省成都市银河·云瑞酒店(四川省成都市双流区银河路596号)。

2. 培训主题:本次培训班重点关注外场下半导体等材料的结构和物态调控的最新理论模型、计算方法和实验表征,旨在帮助中物院研究人员掌握不同外场条件下半导体中缺陷和电子态演化的基本规律,了解最前沿的实验和理论研究进展和发展趋势。同时加强与中物院内外研究单位和人员的合作交流。

确定的授课专家及授课内容如下(姓氏拼音正序):

陈时友(复旦大学):半导体缺陷和杂质的计算模拟

戴佳钰(国防科技大学):强激光场下材料微观结构响应动力学

缑慧阳(北京高压科学研究中心):功能材料的高压结构和性能

郭红霞(西北核技术研究院):辐射环境下功率器件模拟试验技术

贺朝会(西安交通大学):多尺度模拟方法在半导体材料和器件位移损伤研究中的应用

李兴冀(哈尔滨工业大学):硅氧化物层缺陷调制及加固研究

李永钢(中国科学院合肥物质科学研究院固体物理研究所):半导体器件辐射效应的多尺度模拟

吕玲(西安电子科技大学):宽禁带半导体器件辐射效应研究

徐贲(中国工程物理研究院研究生院):强磁场下的原子尺度模拟

杨吉辉(复旦大学):半导体材料和器件电输运性质的第一性原理研究

杨学林(北京大学):Si衬底上GaN基电子材料外延生长及杂质缺陷研究

张燮(西北工业大学):半导体材料中缺陷引起的非辐射复合计算

3. 培训日程大致安排:每天上午08:30开始,下午14:00开始。每天上午、下午各安排两场授课,每场授课约90分钟,两场授课间歇包含30分钟讨论交流和课间休息时间。

        10.25-10.27 培训班手册 final.pdf

        本次培训班课件不对外公开。若需课件,请联系会务组。


二、报名须知:

1. 本次培训班实行学员自由申请制,欢迎广大院内外科研人员及研究生报名参加。

2. 报名时间:即日起至20231018日(星期三),1019日起报名通道关闭,不再接受申请。

3. 报名通道:

中物院院内单位参会者报名通道:http://csrcforms.mikecrm.com/34TJNIP

中物院以外单位参会者报名通道:http://csrcforms.mikecrm.com/irDrxD0

4. 报名费用:

1)中物院院内单位人员:不收取报名费。

2)中物院以外单位人员:收取人民币1500/人的培训费。

培训费缴纳方式:

①银行转账:截止时间20231018

账户名称:北京计算科学研究中心

银行账号:320756023147

开户行:中国银行北京上地信息路支行

(请注意在汇款用途或附言中注明:计科中心202310月培训班+姓名)

②现场交费:仅收取人民币现金1500元,不可刷卡。

培训费发票将于培训班结束后统一开具并快递寄出。

5. 培训班期间提供午餐及晚餐,所有参培人员往返交通及住宿均自理。

 

三、现场报到:

现场报到注册时,领取培训资料和餐票等用品。时间及地点如下:

1024日(星期二)14:00~18:00(银河·云瑞酒店二楼大厅)

1025日(星期三)07:30~08:30(银河·云瑞酒店云瑞厅外)

请注意:1025日(星期三)为培训班的第一天,建议外地参培人员最迟于1024日(星期二)晚间抵达成都。

 

四、住宿信息:

会务组已在银河·云瑞酒店为参培学员预留部分房间,请于1018日前自行预订

大床单间(含双早)/双床标间(含双早),370/晚;

套房(含双早),680/晚。

参培人员可通过发送短信“北京计算科学研究中心培训班+姓名+房型+入住时间和离店时间”至银河·云瑞酒店曾华光经理(手机号15928433521)进行预订,费用自付。

 

五、签到与证书*仅限中物院院内人员)

中物院院内人员培训期间,需每天签到一次作为考勤记录;结合学员的出勤情况和听课效果颁发培训证书,全勤则具备证书颁发资格。

 

六、联系方式:

会议信息、院内接待——冯怡 (010-56981722fengyi@csrc.ac.cn)



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